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GIS局部放電主要由下列缺陷引發

GIS局部放電主要由下列缺陷引發:
*載流導體表面缺陷:如毛刺,尖角,等引起導體表面電廠強度不均勻,這種缺陷通常在制造或安裝時造成的,在穩定的工頻電壓下不易引起擊穿,但在操作或沖擊電壓下很可能引起擊穿。
*
絕緣子表面缺陷:如制造質量**,絕緣子有氣泡或裂紋,安裝**下的污跡,塵埃等。
*GIS
筒內在制造和安裝過程中存在的自由導電微粒。
*
導體部分接觸**。
AIAcompact主要特點:
1
. 可連接聲波傳感器
2
. 可連接特高頻(UHF)傳感器(300MHz-2GHz)
3
. 儀器自動識別傳感器類型
4
. 內置可充電電池,攜帶方便,測量快速
5
. 紅外同步裝置
6
. RS232接口,連接電腦可進行深入技術分析
7
. 高靈敏度:1mv或1pc
8
. LCD顯示屏
9
. 三種顯示模式

滬公網安備 31010602002582號